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首页 全部分类 BCR116SH6327XTSA1 vs RN4902,LF(CT

BCR116SH6327XTSA1备选型号: RN4902,LF(CT

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  • 功率 - 最大
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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • Infineon Technologies
    BCR116SH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    50V
    300mV
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    150°C
    -65°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10
    250mW
    鸥翼
    BCR116S
    NPN
    Dual
    SWITCHING
    无卤素
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    70 @ 5mA 5V
    300mV @ 500μA, 10mA
    150MHz
    150MHz
    4.7k Ω
    47k Ω
    800μm
    2mm
    1.25mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN4902,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    50V
    -
    Tape & Reel (TR)
    2014
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    200mW
    -
    -
    NPN, PNP
    -
    -
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    50 @ 10mA 5V
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    200MHz
    10kOhms
    10kOhms
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    US6
    6.010099mg
    2
    200mW
    500nA
    50V
    50V
    10V
    100mA
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