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10

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100

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500

￥1.313837
1000

￥1.239466

Infineon Technologies BCR116SH6327XTSA1

Name: BCR116SH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-BCR116SH6327XTSA1
Price: 1.56 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BCR116SH6327XTSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BCR116SH6327XTSA1

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

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BCR116SH6327XTSA1 Infineon Technologies Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

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BCR116SH6327XTSA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies BCR116SH6327XTSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

26 Weeks
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数

6
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV
Number of Elements

2
hFEMin

70
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2011
JESD-609代码

e3
零件状态

不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

6
ECCN 代码

EAR99
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-65°C
附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 10
最大功率耗散

250mW
终端形式

鸥翼
基本部件号

BCR116S
极性

NPN
元素配置

Dual
晶体管应用

SWITCHING
无卤素

无卤素
晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

300mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 5mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA
转换频率

150MHz
频率转换

150MHz
电阻基(R1)

4.7k Ω
电阻-发射极基极(R2)

47k Ω
高度

800μm
长度

2mm
宽度

1.25mm
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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BCR116SH6327XTSA1拓展信息

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