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首页 全部分类 BCR148SH6327XTSA1 vs RN4982,LF(CT

BCR148SH6327XTSA1备选型号: RN4982,LF(CT

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  • 转换频率
  • 频率转换
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  • 电阻-发射极基极(R2)
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 功率 - 最大
  • 最大集极截止电流
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • Infineon Technologies
    BCR148SH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    50V
    300mV
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    250mW
    鸥翼
    BCR148S
    AEC-Q101
    NPN
    Dual
    SWITCHING
    无卤素
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    70 @ 5mA 5V
    300mV @ 500μA, 10mA
    100MHz
    100MHz
    47k Ω
    47k Ω
    800μm
    2mm
    1.25mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN4982,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    50V
    -
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    -
    -
    -
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
    200mW
    鸥翼
    -
    -
    NPN, PNP
    -
    SWITCHING
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    50 @ 10mA 5V
    300mV @ 250μA, 5mA
    250MHz
    250MHz 200MHz
    10k Ω
    10k Ω
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    6.010099mg
    SILICON
    yes
    unknown
    R-PDSO-G6
    2
    200mW
    100μA ICBO
    50V
    -10V
    -100mA
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