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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.012297
10
¥0.954996
100
¥0.900941
500
¥0.849943
1000
¥0.801835
Infineon Technologies BCR148SH6327XTSA1
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- 对比
BCR148SH6327XTSA1
1211-BCR148SH6327XTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCR148SH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BCR148SH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Number of Elements
2
hFEMin
70
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大功率耗散
250mW
终端形式
鸥翼
基本部件号
BCR148S
参考标准
AEC-Q101
极性
NPN
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 5mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
转换频率
100MHz
频率转换
100MHz
电阻基(R1)
47k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
高度
800μm
长度
2mm
宽度
1.25mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCR148SH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








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