BCR148SH6327XTSA1
BCR148SH6327XTSA1

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Infineon Technologies BCR148SH6327XTSA1

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型号

BCR148SH6327XTSA1

utmel 编号

1211-BCR148SH6327XTSA1

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

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BCR148SH6327XTSA1
BCR148SH6327XTSA1 Infineon Technologies TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

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BCR148SH6327XTSA1详情

Infineon Technologies BCR148SH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    26 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-VSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    300mV

  • Number of Elements

    2

  • hFEMin

    70

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

  • 最大功率耗散

    250mW

  • 终端形式

    鸥翼

  • 基本部件号

    BCR148S

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Dual

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 无卤素

    无卤素

  • 晶体管类型

    2 NPN - Pre-Biased (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    70 @ 5mA 5V

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 500μA, 10mA

  • 转换频率

    100MHz

  • 频率转换

    100MHz

  • 电阻基(R1)

    47k Ω

  • 电阻-发射极基极(R2)

    47k Ω

  • 高度

    800μm

  • 长度

    2mm

  • 宽度

    1.25mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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