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BF1107,215备选型号: IRLML6401TRPBF
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 栅源电压
- 高度
- 长度
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MOSFET N-CH 3V 10MA SOT238 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-33V1999Tape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)10mABF11073N-Channel2013-06-14 00:00:00ROHS3 Compliant----------------------------------------------
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-2312 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-34.3A Ta2003Tape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)-4.3A----ROHS3 CompliantTin表面贴装表面贴装3SILICON-55°C~150°C TJHEXFET®e33SMD/SMTEAR9950mOhmHIGH RELIABILITY-12VDUAL鸥翼260301Single增强型MOSFET1.3W11 nsP-ChannelSWITCHING50m Ω @ 4.3A, 4.5V950mV @ 250μA830pF @ 10V15nC @ 5V32ns12V±8V210 ns-4.3A-550mV8V-12V-12V150°C-550 mV1.12mm3.0226mm1.397mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDN306P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface Mount | 对比 |
| FDN304PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 | 对比 |
| FDN337N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 | 对比 |
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