BFP540FESDE6327备选型号: DTC123JKAT146
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- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 频率
- 基本部件号
- 配置
- 功率耗散
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 增益
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 噪音数字(分贝类型@ f)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 无铅代码
- 终止次数
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 极性
- 元素配置
- 晶体管应用
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- TRANS RF NPN 4.5V 80MA 4TSFP4-SMD, Flat Leads表面贴装表面贴装45V2010Tape & Reel (TR)150°C TJObsolete1 (Unlimited)EAR99250mWunknown30GHzBFP540Single250mW30 GHzNPNNPN4.5V80mA50 @ 20mA 3.5V20dB21000MHz5V10V1V0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz符合RoHS标准-------------------------------
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装350V2009Tape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)EAR99200mW--DTC123-200mW--NPN - Pre-Biased50V100mA80 @ 10mA 5V-250MHz50V---ROHS3 Compliant13 Weeksyes3150°C-55°CBUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 218541.21.00.7550VDUAL鸥翼260100mA103100mA50VNPNSingleSWITCHING500nA300mV @ 250μA, 5mA250MHz2.2 k Ω100mA47 k Ω1.1mm2.9mm1.6mm无无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MT3S20TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | 3-SMD, Flat Lead | RF Bipolar Transistors Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V | 对比 | |
| DTC143ZKAT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | 对比 | |
| DTC123JKAT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | 对比 |



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