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首页 全部分类 BFP540FESDE6327 vs MT3S20TU(TE85L)

BFP540FESDE6327备选型号: MT3S20TU(TE85L)

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 工厂交货时间
  • 元素配置
  • 频率转换
  • 连续集电极电流
  • Infineon Technologies
    BFP540FESDE6327
    Infineon Technologies
    TRANS RF NPN 4.5V 80MA 4TSFP
    4-SMD, Flat Leads
    表面贴装
    表面贴装
    4
    5V
    2010
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    250mW
    unknown
    30GHz
    BFP540
    Single
    250mW
    30 GHz
    NPN
    NPN
    4.5V
    80mA
    50 @ 20mA 3.5V
    20dB
    21000MHz
    5V
    10V
    1V
    0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MT3S20TU(TE85L)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    RF Bipolar Transistors Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V
    3-SMD, Flat Lead
    表面贴装
    表面贴装
    -
    12V
    2014
    Cut Tape (CT)
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    900mW
    unknown
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN
    NPN
    12V
    80mA
    100 @ 50mA 5V
    12dB
    5000MHz
    12V
    -
    1.5V
    1.45dB @ 20mA, 5V
    符合RoHS标准
    12 Weeks
    Single
    7GHz
    80mA
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DTC143ZKAT146 DTC143ZKAT146 ROHM Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 对比
DTC123JKAT146 DTC123JKAT146 ROHM Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 对比