BFP540FESDE6327
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Infineon Technologies BFP540FESDE6327

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型号

BFP540FESDE6327

utmel 编号

1211-BFP540FESDE6327

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

4-SMD, Flat Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS RF NPN 4.5V 80MA 4TSFP

起订量

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BFP540FESDE6327
BFP540FESDE6327 Infineon Technologies TRANS RF NPN 4.5V 80MA 4TSFP

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BFP540FESDE6327详情

Infineon Technologies BFP540FESDE6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    4-SMD, Flat Leads

  • 安装类型

    表面贴装

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    4

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    5V

  • Number of Elements

    1

  • 已出版

    2010

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    250mW

  • Reach合规守则

    unknown

  • 频率

    30GHz

  • 基本部件号

    BFP540

  • 配置

    Single

  • 功率耗散

    250mW

  • 增益带宽积

    30 GHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    4.5V

  • 最大集电极电流

    80mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    50 @ 20mA 3.5V

  • 增益

    20dB

  • 转换频率

    21000MHz

  • 最大击穿电压

    5V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    10V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    1V

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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技术文档: Infineon Technologies BFP540FESDE6327.

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右边的3个型号有着和Infineon Technologies & BFP540FESDE6327相似的参数规格。

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BFP540FESDE6327拓展信息

BFR106E6327HTSA1
BFR106E6327HTSA1

Infineon Technologies

BFP650H6327XTSA1
BFP650H6327XTSA1

Infineon Technologies

BFP640H6327XTSA1
BFP640H6327XTSA1

Infineon Technologies

BFP520H6327XTSA1
BFP520H6327XTSA1

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BFR193WH6327XTSA1
BFR193WH6327XTSA1

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BFS17PE6327HTSA1
BFS17PE6327HTSA1

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BFP460H6327XTSA1
BFP460H6327XTSA1

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BFR380FH6327XTSA1
BFR380FH6327XTSA1

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BFQ19SH6327XTSA1
BFQ19SH6327XTSA1

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BFP650FH6327XTSA1
BFP650FH6327XTSA1

Infineon Technologies

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