BSB012NE2LX备选型号: IRF3710ZPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- JESD-609代码
- 终端
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 螺纹距离
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 反向恢复时间
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2表面贴装3-WDSONYES7SILICON37A Ta 170A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011yesObsolete3 (168 Hours)2EAR998541.29.00.95BOTTOM2R-MBCC-N2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN5.7 nsN-ChannelSWITCHING1.2m Ω @ 30A, 10V2V @ 250μA无卤素4900pF @ 12V67nC @ 10V6ns25V±20V4.6 ns56A20V39A0.0012Ohm400A25V285 mJ无符合RoHS标准----------------------------
- Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 14MILLIOHMS; Id 59A; TO-220AB; Pd 160W; -55DEG通孔TO-220-3-3SILICON59A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2003-活跃1 (Unlimited)3EAR99-----增强型MOSFETDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING18m Ω @ 35A, 10V4V @ 250μA-2900pF @ 25V120nC @ 10V77ns-±20V56 ns59A20V--240A-200 mJ无ROHS3 Compliant12 Weeks通孔e3通孔18MOhm镍外哑光锡AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE100V25059A302.54mm1Single160W50 ns4VTO-220AB100V100V75 ns175°C4 V19.8mm10.54mm4.69mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFB4510PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 100V 62A TO220AB | 对比 |
![]() | NTP6412ANG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 58A TO-220AB | 对比 |
![]() | IPP70N10S312AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 | 对比 |






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