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首页 全部分类 BSB012NE2LX vs IRFB4510PBF

BSB012NE2LX备选型号: IRFB4510PBF

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSB012NE2LX
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2
    表面贴装
    3-WDSON
    YES
    7
    SILICON
    37A Ta 170A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    8541.29.00.95
    BOTTOM
    2
    R-MBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    4900pF @ 12V
    67nC @ 10V
    6ns
    25V
    ±20V
    4.6 ns
    56A
    20V
    39A
    0.0012Ohm
    400A
    25V
    285 mJ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4510PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 100V 62A TO220AB
    通孔
    TO-220-3
    -
    3
    SILICON
    62A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 37A, 10V
    4V @ 100μA
    -
    3180pF @ 50V
    87nC @ 10V
    32ns
    100V
    ±20V
    -
    62A
    20V
    -
    -
    250A
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    通孔
    Single
    140W
    2V
    TO-220AB
    2 V
    9.02mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无铅
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