BSB012NE2LX备选型号: NTP6412ANG
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- JESD-609代码
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 宽度
- 高度
- 长度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2表面贴装3-WDSONYES7SILICON37A Ta 170A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011yesObsolete3 (168 Hours)2EAR998541.29.00.95BOTTOM2R-MBCC-N2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN5.7 nsN-ChannelSWITCHING1.2m Ω @ 30A, 10V2V @ 250μA无卤素4900pF @ 12V67nC @ 10V6ns25V±20V4.6 ns56A20V39A0.0012Ohm400A25V285 mJ无符合RoHS标准-----------------
- MOSFET N-CH 100V 58A TO-220AB通孔TO-220-3NO3SILICON167W Tc-55°C~175°C TJTube-2009yes活跃1 (Unlimited)3---3--增强型MOSFETDRAIN16 nsN-Channel-18.2m Ω @ 58A, 10V4V @ 250μA-3500pF @ 25V100nC @ 10V140ns-±20V126 ns58A20V--240A--无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)9 WeeksTin4.535924ge318.2MOhmSingle167W4VTO-220AB100V4 V4.82mm15.75mm10.28mm无SVHC无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFB4510PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 100V 62A TO220AB | 对比 |
![]() | NTP6412ANG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 58A TO-220AB | 对比 |
![]() | IPP70N10S312AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 | 对比 |






哦! 它是空的。