Infineon Technologies BSB012NE2LX

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-WDSON

表面安装

YES

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

37A Ta 170A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 57W Tc

Turn Off Delay Time

34 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2011

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

引脚数量

2

JESD-30代码

R-MBCC-N2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4900pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

67nC @ 10V

上升时间

6ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.6 ns

连续放电电流(ID)

56A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

39A

漏极-源极导通最大电阻

0.0012Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

25V

雪崩能量等级（Eas）

285 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准