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首页 全部分类 BSB056N10NN3GXUMA1 vs AUIRL7766M2TR

BSB056N10NN3GXUMA1备选型号: AUIRL7766M2TR

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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    BSB056N10NN3GXUMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 9A 7-Pin WDSON
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-WDSON
    Silver
    3
    SILICON
    1
    3.5V @ 100μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e4
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    3
    EAR99
    BOTTOM
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5.6m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    5500pF @ 50V
    74nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    9A
    2.7V
    20V
    100V
    9A
    0.0056Ohm
    450 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRL7766M2TR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric M4
    -
    9
    SILICON
    2.5W Ta 62.5W Tc
    2.5V @ 150μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    -
    BOTTOM
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    62.5W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 31A, 10V
    -
    5305pF @ 25V
    66nC @ 4.5V
    24ns
    ±16V
    10A
    2.5V
    16V
    -
    51A
    0.01Ohm
    237 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    R-XBCC-N5
    16 ns
    49 ns
    100V
    204A
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