BSC009NE2LS5IATMA1备选型号: IRFH8202TRPBF

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  • 品牌:
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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 最大结点温度(Tj)
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    40A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    0.95m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    3200pF @ 12V
    49nC @ 10V
    33ns
    ±16V
    19 ns
    40A
    16V
    25V
    25V
    400A
    50 mJ
    150°C
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    47A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    Single
    1
    -
    3.6W
    -
    28 ns
    N-Channel
    -
    1.05m Ω @ 50A, 10V
    2.35V @ 150μA
    -
    7174pF @ 13V
    110nC @ 10V
    46ns
    ±20V
    19 ns
    100A
    20V
    -
    25V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    1.8V
    无SVHC
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