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BSC019N02KSGAUMA1备选型号: IRLH6224TRPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-839 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON30A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011e3no不用于新设计1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)雪崩 额定DUALFLAT未说明not_compliant未说明8R-PDSO-F5不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET104WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING1.95m Ω @ 50A, 4.5V1.2V @ 350μA无卤素13000pF @ 10V85nC @ 4.5V187ns±12V8 ns100A12V20V30A0.003Ohm200AROHS3 Compliant含铅-----
MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X612 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-28A Ta 105A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2012--活跃1 (Unlimited)-EAR99----------Single-3.6W-9.4 nsN-Channel-3m Ω @ 20A, 4.5V1.1V @ 50μA-3710pF @ 10V86nC @ 10V23ns±12V36 ns28A12V----ROHS3 Compliant-800mV20V800 mV无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 | 对比 |
 | IRFH6200TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 20V 45A 8-PQFN | 对比 |
 | STL120N2VH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | STMICROELECTRONICS STL120N2VH5 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 20 V, 0.002 ohm, 4.5 V, 700 mV | 对比 |
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