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价格梯度
内地含税价
1
¥12.291685
10
¥11.595927
100
¥10.939556
500
¥10.320333
1000
¥9.736164
STMicroelectronics STL120N2VH5
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STL120N2VH5
2381-STL120N2VH5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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STMICROELECTRONICS STL120N2VH5 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 20 V, 0.002 ohm, 4.5 V, 700 mV
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STL120N2VH5详情
STMicroelectronics STL120N2VH5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Power Dissipation (Max)
80W Tc
Turn Off Delay Time
76 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ V
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
3MOhm
基本部件号
STL120
元素配置
Single
功率耗散
80W
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3m Ω @ 14A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4660pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29nC @ 2.5V
上升时间
60ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
55 ns
连续放电电流(ID)
120A
阈值电压
700mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
20V
高度
880μm
长度
4.75mm
宽度
5.75mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STL120N2VH5拓展信息
STMicroelectronics
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