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首页 全部分类 BSC026N04LSATMA1 vs IRFS7440TRLPBF

BSC026N04LSATMA1备选型号: IRFS7440TRLPBF

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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSC026N04LSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PG-TDSON-8-6
    23A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    2.6mOhm @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    2300pF @ 20V
    32nC @ 10V
    4ns
    40V
    ±20V
    100A
    20V
    2.3nF
    2.1mOhm
    2.6 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS7440TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    2.5m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 100μA
    4730pF @ 25V
    135nC @ 10V
    68ns
    -
    ±20V
    120A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2
    EAR99
    2.5MOhm
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    208W
    DRAIN
    24 ns
    SWITCHING
    68 ns
    3V
    208A
    40V
    772A
    3 V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    无铅
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