Infineon Technologies BSC026N04LSATMA1
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BSC026N04LSATMA1
1211-BSC026N04LSATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON
--最小包装量--
BSC026N04LSATMA1详情
Infineon Technologies BSC026N04LSATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PG-TDSON-8-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
23A Ta 100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 63W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.6mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2300pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
32nC @ 10V
上升时间
4ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
2.3nF
漏源电阻
2.1mOhm
最大rds
2.6 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSC026N04LSATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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