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首页 全部分类 BSC039N06NSATMA1 vs NVMFS5C670NLT1G

BSC039N06NSATMA1备选型号: NVMFS5C670NLT1G

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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 参考标准
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    BSC039N06NSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    19A Ta 100A Tc
    2.8V @ 36μA
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    OptiMOS™
    2012
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.9m Ω @ 50A, 10V
    无卤素
    2000pF @ 30V
    27nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    7 ns
    100A
    2.1V
    20V
    60V
    0.0039Ohm
    60V
    400A
    50 mJ
    150°C
    44 pF
    1.1mm
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS5C670NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL
    38 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    1
    2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2015
    e3
    yes
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 14 hours ago)
    1 (Unlimited)
    5
    -
    -
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    -
    6.1m Ω @ 35A, 10V
    -
    1400pF @ 25V
    20nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    4 ns
    71A
    2V
    20V
    -
    -
    -
    440A
    166 mJ
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    AEC-Q101
    60V
    60V
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