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首页 全部分类 BSC050N03LSGATMA1 vs BSC886N03LSGATMA1

BSC050N03LSGATMA1备选型号: BSC886N03LSGATMA1

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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    BSC050N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 30 V 7.5 mOhm 17 nC OptiMOS? Power Mosfet - TDSON-8
    39 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PG-TDSON-8-5
    18A Ta 80A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    50W
    N-Channel
    5mOhm @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    2800pF @ 15V
    35nC @ 10V
    4ns
    30V
    ±20V
    80A
    2.2V
    20V
    30V
    2.8nF
    4.2mOhm
    5 mΩ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC886N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
    26 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    13A Ta 65A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    2.5W
    N-Channel
    6m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    -
    2100pF @ 15V
    26nC @ 10V
    3.2ns
    30V
    ±20V
    65A
    2.2V
    20V
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    5
    EAR99
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    4.2 ns
    SWITCHING
    3 ns
    0.0092Ohm
    260A
    30V
    20 mJ
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