您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSC050N03LSGATMA1 vs FDD8896

BSC050N03LSGATMA1备选型号: FDD8896

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC050N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 30 V 7.5 mOhm 17 nC OptiMOS? Power Mosfet - TDSON-8
    39 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PG-TDSON-8-5
    18A Ta 80A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    50W
    N-Channel
    5mOhm @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    2800pF @ 15V
    35nC @ 10V
    4ns
    30V
    ±20V
    80A
    2.2V
    20V
    30V
    2.8nF
    4.2mOhm
    5 mΩ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8896
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    17A Ta 94A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    80W
    N-Channel
    5.7m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    -
    2525pF @ 15V
    60nC @ 10V
    106ns
    -
    ±20V
    94A
    2.5V
    20V
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    260.37mg
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    5.7MOhm
    30V
    鸥翼
    94A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    SWITCHING
    41 ns
    TO-252AA
    30V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSC034N03LSGATMA1 BSC034N03LSGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON 对比
BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LSGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 对比
BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON 对比