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首页 全部分类 BSC076N06NS3GATMA1 vs BSC066N06NSATMA1

BSC076N06NS3GATMA1备选型号: BSC066N06NSATMA1

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  • 输入电容
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  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    BSC076N06NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON T/R
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PG-TDSON-8-5
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    2.5W
    15 ns
    N-Channel
    7.6mOhm @ 50A, 10V
    4V @ 35μA
    无卤素
    4000pF @ 30V
    50nC @ 10V
    40ns
    60V
    ±20V
    5 ns
    50A
    20V
    60V
    4nF
    6.2mOhm
    7.6 mΩ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC066N06NSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    64A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    6.6m Ω @ 50A, 10V
    3.3V @ 20μA
    无卤素
    1500pF @ 30V
    21nC @ 10V
    3ns
    -
    ±20V
    -
    64A
    20V
    60V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SILICON
    e3
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    15A
    0.0066Ohm
    256A
    21 mJ
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