BSC076N06NS3GATMA1备选型号: IRFR7546TRPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
- Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON T/R26 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8PG-TDSON-8-550A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2009活跃1 (Unlimited)150°C-55°C2.5W15 nsN-Channel7.6mOhm @ 50A, 10V4V @ 35μA无卤素4000pF @ 30V50nC @ 10V40ns60V±20V5 ns50A20V60V4nF6.2mOhm7.6 mΩROHS3 Compliant含铅----------------------
- MOSFET N-CH 60V 71A DPAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-56A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)StrongIRFET™2007活跃1 (Unlimited)---8.1 nsN-Channel7.9m Ω @ 43A, 10V3.7V @ 100μA-3020pF @ 25V87nC @ 10V28ns60V±20V20 ns56A20V----ROHS3 Compliant无铅3.949996gSILICONe32EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING3.7VTO-252AA0.0079Ohm280A60V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSC066N06NSATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON | 对比 |
![]() | IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 71A DPAK | 对比 |




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