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首页 全部分类 BSC0921NDIATMA1 vs BSC0923NDIATMA1

BSC0921NDIATMA1备选型号: BSC0923NDIATMA1

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 功率耗散
  • Infineon Technologies
    BSC0921NDIATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    17A 31A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    5m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1025pF @ 15V
    8.9nC @ 4.5V
    30V
    31A
    20V
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    -
  • Infineon Technologies
    BSC0923NDIATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    17A 32A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    5m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1160pF @ 15V
    10nC @ 4.5V
    30V
    32A
    20V
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    2.5W
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