注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.592044
10
¥9.992495
100
¥9.426882
500
¥8.893285
1000
¥8.389891
Infineon Technologies BSC0921NDIATMA1
- 收藏
- 对比
BSC0921NDIATMA1
1211-BSC0921NDIATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerTDFN
大陆
立即发货

MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSC0921NDIATMA1详情
Infineon Technologies BSC0921NDIATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
17A 31A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Rds On(Max)@Id,Vgs
5m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1025pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.9nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
31A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
场效应管特性
Logic Level Gate, 4.5V Drive
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSC0921NDIATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。