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首页 全部分类 BSC100N03LSGATMA1 vs NTD4810NHT4G

BSC100N03LSGATMA1备选型号: NTD4810NHT4G

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 配置
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSC100N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    13A Ta 44A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    哑光锡
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    260
    40
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 30A, 10V
    1500pF @ 15V
    17nC @ 10V
    30V
    ±20V
    44A
    13A
    0.0142Ohm
    176A
    30V
    10 mJ
    unknown
    符合RoHS标准
    -
  • ON Semiconductor
    NTD4810NHT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 8.6A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    SILICON
    9A Ta 54A Tc
    2.5V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2009
    e3
    yes
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Tin (Sn)
    -
    SINGLE
    鸥翼
    265
    40
    R-PSFM-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    -
    10m Ω @ 30A, 10V
    1225pF @ 12V
    12nC @ 4.5V
    30V
    ±20V
    54A
    10.8A
    0.0167Ohm
    120A
    30V
    66 mJ
    -
    符合RoHS标准
    无铅
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