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首页 全部分类 BSC100N03LSGATMA1 vs PSMN8R0-30YLC,115

BSC100N03LSGATMA1备选型号: PSMN8R0-30YLC,115

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • Infineon Technologies
    BSC100N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    13A Ta 44A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    哑光锡
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    260
    40
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 30A, 10V
    1500pF @ 15V
    17nC @ 10V
    30V
    ±20V
    44A
    13A
    0.0142Ohm
    176A
    30V
    10 mJ
    unknown
    符合RoHS标准
  • NXP USA Inc.
    PSMN8R0-30YLC,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-chnl30V7.9m logic lvl MOSFET in LFPAK
    -
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    -
    -
    42W Tc
    1.95V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    7.9m Ω @ 15A, 10V
    848pF @ 15V
    15nC @ 10V
    30V
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
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