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首页 全部分类 BSC440N10NS3GATMA1 vs FDD3860

BSC440N10NS3GATMA1备选型号: FDD3860

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 宽度
  • 长度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    BSC440N10NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PG-TDSON-8-1
    5.3A Ta 18A Tc
    3.5V @ 12μA
    2011
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    29W
    9 ns
    N-Channel
    44mOhm @ 12A, 10V
    无卤素
    810pF @ 50V
    10.8nC @ 10V
    3ns
    100V
    ±20V
    18A
    2.7mV
    20V
    100V
    100V
    810pF
    150°C
    44mOhm
    44 mΩ
    1.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD3860
    ON Semiconductor
    In a Pack of 5, FDD3860 N-Channel MOSFET, 29 A, 100 V PowerTrench, 3-Pin DPAK ON Semiconductor
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    24 ns
    4.5V @ 250μA
    2006
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    3.1W
    16 ns
    N-Channel
    36m Ω @ 5.9A, 10V
    -
    1740pF @ 50V
    31nC @ 10V
    10ns
    -
    ±20V
    6.2A
    3.8V
    20V
    -
    100V
    -
    -
    -
    -
    2.39mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    260.37mg
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    36MOhm
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    7 ns
    42A
    60A
    6.22mm
    6.73mm
    无SVHC
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