Infineon Technologies BSC440N10NS3GATMA1
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BSC440N10NS3GATMA1
1211-BSC440N10NS3GATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP
--最小包装量--
BSC440N10NS3GATMA1详情
Infineon Technologies BSC440N10NS3GATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PG-TDSON-8-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.3A Ta 18A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
29W Tc
Turn Off Delay Time
13 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.5V @ 12μA
已出版
2011
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
功率耗散
29W
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
44mOhm @ 12A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
810pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.8nC @ 10V
上升时间
3ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
18A
阈值电压
2.7mV
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
漏源击穿电压
100V
输入电容
810pF
最大结点温度(Tj)
150°C
漏源电阻
44mOhm
最大rds
44 mΩ
高度
1.1mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
BSC440N10NS3GATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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