我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
BSC440N10NS3GATMA1备选型号: IRF7490TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 最大结点温度（Tj）
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 行间距
- 元素配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 下降时间（典型值）
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP26 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8PG-TDSON-8-15.3A Ta 18A Tc3.5V @ 12μA2011-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™活跃1 (Unlimited)150°C-55°C129W9 nsN-Channel44mOhm @ 12A, 10V无卤素810pF @ 50V10.8nC @ 10V3ns100V±20V18A2.7mV20V100V100V810pF150°C44mOhm44 mΩ1.1mm无ROHS3 Compliant含铅--------------------
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-5.4A Ta4V @ 250μA2002-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®活跃1 (Unlimited)---2.5W13 nsN-Channel39m Ω @ 3.2A, 10V-1720pF @ 25V56nC @ 10V4.2ns-±20V5.4A4V20V-100V----1.4986mm无ROHS3 Compliant无铅TinSILICON8EAR9939MOhm100VDUAL鸥翼5.4A6.3 mmSingle增强型MOSFETSWITCHING11 ns43A100V4 V4.9784mm3.9878mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7490TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC | 对比 |
 | FDD3860 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | In a Pack of 5, FDD3860 N-Channel MOSFET, 29 A, 100 V PowerTrench, 3-Pin DPAK ON Semiconductor | 对比 |
 | STD6NF10T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 6A DPAK | 对比 |
哦! 它是空的。