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首页 全部分类 BSC886N03LSGATMA1 vs IRFHM8329TRPBF

BSC886N03LSGATMA1备选型号: IRFHM8329TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSC886N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    13A Ta 65A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    4.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2100pF @ 15V
    26nC @ 10V
    3.2ns
    30V
    ±20V
    3 ns
    65A
    2.2V
    20V
    0.0092Ohm
    260A
    30V
    20 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8329TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
    39 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    16A Ta 57A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.6W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.1m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 25μA
    1710pF @ 10V
    26nC @ 10V
    74ns
    -
    ±20V
    14 ns
    16A
    1.7V
    20V
    -
    230A
    -
    43 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    30V
    无
    无铅
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