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首页 全部分类 BSC886N03LSGATMA1 vs NTMFS4837NT1G

BSC886N03LSGATMA1备选型号: NTMFS4837NT1G

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSC886N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    13A Ta 65A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    4.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2100pF @ 15V
    26nC @ 10V
    3.2ns
    30V
    ±20V
    3 ns
    65A
    2.2V
    20V
    0.0092Ohm
    260A
    30V
    20 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4837NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 10A SO-8FL
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    5
    SILICON
    19 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    260
    40
    R-PDSO-F6
    -
    增强型MOSFET
    2.2W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2048pF @ 12V
    22nC @ 4.5V
    55ns
    -
    ±20V
    10 ns
    74A
    -
    20V
    -
    148A
    -
    242 mJ
    -
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    5
    不合格
    Single
    10A
    30V
    无铅
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