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首页 全部分类 BSD235CH6327XTSA1 vs DMC3400SDW-13

BSD235CH6327XTSA1备选型号: DMC3400SDW-13

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管应用
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    BSD235CH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 20V SOT363
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    950mA 530mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    8541.21.00.95
    500mW
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    BSD235
    AEC-Q101
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N and P-Channel
    350m Ω @ 950mA, 4.5V
    1.2V @ 1.6μA
    无卤素
    47pF @ 10V
    0.34nC @ 4.5V
    20V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    530mA
    12V
    -20V
    0.95A
    0.35Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMC3400SDW-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 30V SOT363
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    650mA 450mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2015
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    310mW
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    -
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N and P-Channel
    400m Ω @ 590mA, 10V
    1.6V @ 250μA
    -
    55pF @ 15V
    1.4nC @ 10V
    30V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    450mA
    -
    -
    -
    0.4Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SWITCHING
    30V
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