Infineon Technologies BSD235CH6327XTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

950mA 530mA

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

500mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BSD235

参考标准

AEC-Q101

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

350m Ω @ 950mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 1.6μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

47pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.34nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

530mA

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大双电源电压

-20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.95A

漏极-源极导通最大电阻

0.35Ohm

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅