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首页 全部分类 BSG0810NDIATMA1 vs BSG0813NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1备选型号: BSG0813NDIATMA1

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • ECCN 代码
  • Infineon Technologies
    BSG0810NDIATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 25V 50A 8-Pin TISON T/R
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    19A 39A
    -55°C~155°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    Tin (Sn)
    2.5W
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-N7
    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    2.5W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    3m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    1040pF @ 12V
    8.4nC @ 4.5V
    39A
    16V
    25V
    19A
    0.004Ohm
    160A
    30 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSG0813NDIATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON-4 T/R
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    19A 33A
    -55°C~155°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    -
    2.5W
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-N7
    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    2.5W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    3m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    1100pF @ 12V
    8.4nC @ 4.5V
    33A
    16V
    25V
    19A
    0.004Ohm
    160A
    30 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    EAR99
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