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首页 全部分类 BSG0810NDIATMA1 vs FDMS2510SDC

BSG0810NDIATMA1备选型号: FDMS2510SDC

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
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  • 最小工作温度
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  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    BSG0810NDIATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 25V 50A 8-Pin TISON T/R
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    19A 39A
    -55°C~155°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    Tin (Sn)
    2.5W
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-N7
    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    2.5W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    3m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    1040pF @ 12V
    8.4nC @ 4.5V
    39A
    16V
    25V
    19A
    0.004Ohm
    160A
    30 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
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  • ON Semiconductor
    FDMS2510SDC
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 28A POWER56
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    28A Ta 49A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™
    2013
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
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    N-Channel
    2.9mOhm @ 23A, 10V
    -
    -
    2780pF @ 13V
    45nC @ 10V
    49A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    Dual Cool™56
    90mg
    3V @ 1mA
    150°C
    -55°C
    Single
    60W
    10 ns
    4ns
    25V
    ±20V
    3 ns
    25V
    2.78nF
    2.9mOhm
    2.9 mΩ
    1.7 V
    无SVHC
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FDMS2510SDC FDMS2510SDC ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 25V 28A POWER56 对比
BSG0813NDIATMA1 BSG0813NDIATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON-4 T/R 对比