Infineon Technologies BSG0813NDIATMA1

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A 33A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~155°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

7

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2.5W

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-N7

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

功率 - 最大

2.5W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Rds On(Max)@Id,Vgs

3m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1100pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.4nC @ 4.5V

连续放电电流(ID)

33A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大双电源电压

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

19A

漏极-源极导通最大电阻

0.004Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160A

雪崩能量等级（Eas）

30 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 4.5V Drive

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅