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首页 全部分类 BSG0811NDATMA1 vs BSG0813NDIATMA1

BSG0811NDATMA1备选型号: BSG0813NDIATMA1

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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • Infineon Technologies
    BSG0811NDATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    19A 41A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    2.5W
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-N7
    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    2.5W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    3m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    1100pF @ 12V
    8.4nC @ 4.5V
    41A
    25V
    19A
    0.004Ohm
    160A
    30 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSG0813NDIATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON-4 T/R
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    19A 33A
    -55°C~155°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    2.5W
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-N7
    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    2.5W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    -
    3m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    1100pF @ 12V
    8.4nC @ 4.5V
    33A
    25V
    19A
    0.004Ohm
    160A
    30 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    e3
    EAR99
    16V
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