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首页 全部分类 BSL202SNL6327HTSA1 vs CPH6347-TL-W

BSL202SNL6327HTSA1备选型号: CPH6347-TL-W

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
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  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • ECCN 代码
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  • 终端形式
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • 附加功能
  • JESD-30代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSL202SNL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    18.9 ns
    1.2V @ 30μA
    OptiMOS™
    2011
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    8.26 ns
    N-Channel
    22m Ω @ 7.5A, 4.5V
    1147pF @ 10V
    8.7nC @ 4.5V
    27.5ns
    20V
    ±12V
    4.06 ns
    7.5A
    12V
    0.022Ohm
    20V
    符合RoHS标准
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    CPH6347-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 6A CPH6
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    -
    SILICON
    6A Ta
    1.4V @ 1mA
    -
    2012
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1 (Unlimited)
    6
    -
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    10 ns
    P-Channel
    39m Ω @ 3A, 4.5V
    860pF @ 10V
    10.5nC @ 4.5V
    48ns
    20V
    ±12V
    78 ns
    6A
    12V
    0.039Ohm
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    10 Weeks
    Tin
    e6
    防静电
    R-PDSO-G6
    6A
    24A
    not_compliant
    无铅
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