BSL202SNL6327HTSA1备选型号: FDC637BNZ
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- JESD-609代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 达到SVHC
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON7.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99DUAL鸥翼6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET8.26 nsN-Channel22m Ω @ 7.5A, 4.5V1.2V @ 30μA1147pF @ 10V8.7nC @ 4.5V27.5ns20V±12V4.06 ns7.5A12V0.022Ohm20V无符合RoHS标准-----------------
- Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON6.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006yes活跃1 (Unlimited)6EAR99DUAL鸥翼--增强型MOSFET8 nsN-Channel24m Ω @ 6.2A, 4.5V1.5V @ 250μA895pF @ 10V12nC @ 4.5V6ns-±12V6 ns6.2A12V--无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)13 Weeks36mge324MOhmTin (Sn)1Single800mWSWITCHING800mV20V150°C800 mV1.1mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC608PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6 | 对比 | |
| FDC637BNZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 | |
| CPH6347-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 6A CPH6 | 对比 |


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