注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.857859
10
¥2.696092
100
¥2.543484
500
¥2.39951
1000
¥2.263691
ON Semiconductor CPH6347-TL-W
- 收藏
- 对比
CPH6347-TL-W
1807-CPH6347-TL-W
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 20V 6A CPH6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CPH6347-TL-W详情
ON Semiconductor CPH6347-TL-W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
Turn Off Delay Time
100 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
附加功能
防静电
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
39m Ω @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
860pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.5nC @ 4.5V
上升时间
48ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
78 ns
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏极-源极导通最大电阻
0.039Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
24A
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CPH6347-TL-W拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。