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首页 全部分类 BSL214NH6327XTSA1 vs FDC6306P

BSL214NH6327XTSA1备选型号: FDC6306P

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  • 长度
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  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSL214NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2013
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    500mW
    鸥翼
    未说明
    未说明
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    500mW
    2 N-Channel (Dual)
    140m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1.2V @ 3.7μA
    无卤素
    143pF @ 10V
    0.8nC @ 5V
    7.6ns
    1.5A
    12V
    20V
    0.14Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    9 pF
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC6306P
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    -
    960mW
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    700mW
    2 P-Channel (Dual)
    170m Ω @ 1.9A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    -
    441pF @ 10V
    4.2nC @ 4.5V
    9ns
    1.9A
    8V
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    36mg
    EAR99
    170mOhm
    -20V
    -1.9A
    Dual
    960mW
    6 ns
    SWITCHING
    20V
    9 ns
    -900mV
    -20V
    -20V
    -900 mV
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
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