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BSL306NH6327XTSA1备选型号: CPH6350-TL-W
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- 功率 - 最大
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 上升时间
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- 宽度
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- 无铅
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- Vgs（最大值）
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MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-668.3 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2011yesObsolete1 (Unlimited)EAR99500mW未说明未说明4.4 ns500mW2 N-Channel (Dual)57m Ω @ 2.3A, 10V2V @ 11μA无卤素275pF @ 15V1.6nC @ 5V2.3ns1.4 ns2.3A20V30VLogic Level Gate, 4.5V Drive1mm2.9mm1.6mmROHS3 Compliant无铅-------
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin CPH T/R7 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6662 ns150°C TJTape & Reel (TR)-2012yesACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)EAR99---7.4 ns-P-Channel43m Ω @ 3A, 10V-无卤素600pF @ 10V13nC @ 10V27ns45 ns6A20V-----ROHS3 Compliant无铅e6Tin/Bismuth (Sn/Bi)11.6W30V±20Vnot_compliant- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6 | 对比 |
| CPH6350-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin CPH T/R | 对比 |
 | IRLMS5703TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP | 对比 |
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