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首页 全部分类 BSL306NH6327XTSA1 vs IRLMS5703TRPBF

BSL306NH6327XTSA1备选型号: IRLMS5703TRPBF

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  • 最大双电源电压
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
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  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSL306NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    8.3 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2011
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    500mW
    未说明
    未说明
    4.4 ns
    500mW
    2 N-Channel (Dual)
    57m Ω @ 2.3A, 10V
    2V @ 11μA
    无卤素
    275pF @ 15V
    1.6nC @ 5V
    2.3ns
    1.4 ns
    2.3A
    20V
    30V
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    1mm
    2.9mm
    1.6mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLMS5703TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    10 ns
    -
    P-Channel
    180m Ω @ 1.6A, 10V
    -
    -
    170pF @ 25V
    11nC @ 10V
    12ns
    8.4 ns
    -2.3A
    20V
    -
    -
    1.4478mm
    2.9972mm
    1.75mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    1V @ 250μA
    e3
    6
    SMD/SMT
    180mOhm
    Matte Tin (Sn)
    超低电阻
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -2.3A
    Single
    增强型MOSFET
    1.7W
    SWITCHING
    30V
    ±20V
    -1V
    2.4A
    -30V
    -30V
    -1 V
    无SVHC
    无
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