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首页 全部分类 BSL306NH6327XTSA1 vs DMG6602SVT-7

BSL306NH6327XTSA1备选型号: DMG6602SVT-7

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  • 功率耗散
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSL306NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    8.3 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2011
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    500mW
    未说明
    未说明
    4.4 ns
    500mW
    2 N-Channel (Dual)
    57m Ω @ 2.3A, 10V
    2V @ 11μA
    无卤素
    275pF @ 15V
    1.6nC @ 5V
    2.3ns
    1.4 ns
    2.3A
    20V
    30V
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    1mm
    2.9mm
    1.6mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG6602SVT-7
    Diodes Incorporated
    N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    3.4A 2.8A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    840mW
    260
    40
    3 ns
    -
    N and P-Channel
    60m Ω @ 3.1A, 10V
    2.3V @ 250μA
    -
    400pF @ 15V
    13nC @ 10V
    5ns
    3 ns
    2.8A
    20V
    -
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    1mm
    2.9mm
    1.6mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    6
    95mOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    DMG6602
    6
    增强型MOSFET
    840mW
    SWITCHING
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    3.4A
    30V
    13A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    无SVHC
    无
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