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BSL306NL6327HTSA1备选型号: FDC6561AN
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- 零件状态
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 6-Pin TSOP T/R表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99雪崩 额定500mW鸥翼BSL3066SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET4.4 ns2 N-Channel (Dual)57m Ω @ 2.3A, 10V2V @ 11μA275pF @ 15V1.6nC @ 5V2.3ns30V1.4 ns2.3A20V0.057Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门17 pF无符合RoHS标准---------------------
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017yes活跃1 (Unlimited)6EAR99逻辑电平兼容960mW鸥翼---增强型MOSFET6 ns2 N-Channel (Dual)95m Ω @ 2.5A, 10V3V @ 250μA220pF @ 15V3.2nC @ 5V10ns-10 ns2.5A20V--METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 WeeksTine395mOhm30V2.5A30VDual24A960mW700mWSWITCHING30V30V1.8 V1mm3mm1.7mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6 | 对比 |
| DMG6601LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT | 对比 |
| BSL306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP | 对比 |
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