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BSL314PEH6327XTSA1备选型号: CPH6445-TL-W
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- JESD-609代码
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 配置
- 接通延迟时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 达到SVHC
MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2013e3yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)500mW鸥翼未说明未说明增强型MOSFET500mW2 P-Channel (Dual)140m Ω @ 1.5A, 10V2V @ 6.3μA无卤素294pF @ 15V2.9nC @ 10V3.9ns30V1.5A20V-30V0.14OhmMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 4.5V Drive11 pFROHS3 Compliant无铅------
MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH67 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-66-1150°C TJTape & Reel (TR)-2012e6yesACTIVE (Last Updated: 5 days ago)1 (Unlimited)-EAR99-----增强型MOSFET1.6WN-Channel117m Ω @ 1.5A, 10V--310pF @ 20V6.8nC @ 10V5.5ns60V3.5A20V-----ROHS3 Compliant无铅TinSingle6 ns±20V13 nsnot_compliant- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF5803TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP | 对比 |
 | IRLMS1503TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP | 对比 |
 | FDC6506P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 30V 1.8A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
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