Infineon Technologies IRF5803TRPBF
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IRF5803TRPBF
1211-IRF5803TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
--最小包装量--
IRF5803TRPBF详情
Infineon Technologies IRF5803TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2W Ta
Turn Off Delay Time
88 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
112MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-40V
额定电流
-3.4A
配置
Single
通道数量
1
功率耗散
2W
接通延迟时间
43 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
112m Ω @ 3.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1110pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
37nC @ 10V
上升时间
550ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
50 ns
连续放电电流(ID)
-3.4A
阈值电压
-3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-40V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.45mm
长度
3.1mm
宽度
1.4986mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IRF5803TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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