Infineon Technologies BSL314PEH6327XTSA1
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BSL314PEH6327XTSA1
1211-BSL314PEH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
--最小包装量--
BSL314PEH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSL314PEH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
500mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
140m Ω @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 6.3μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
294pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.9nC @ 10V
上升时间
3.9ns
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
1.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
-30V
漏极-源极导通最大电阻
0.14Ohm
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate, 4.5V Drive
反馈上限-最大值 (Crss)
11 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSL314PEH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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