BSM50GB60DLCHOSA1备选型号: APTGF50DH60T1G
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 元素配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 晶体管应用
- 输入电容
- IGBT类型
- 栅极-发射极电压-最大值
- VCEsat-最大值
- IGBT MODULE 600V 75A 280W14 WeeksScrew底座安装Module34SILICON600V2.2V-40°C~125°Cno最后一次购买1 (Unlimited)7EAR99280WUPPERUNSPECIFIED7R-XUFM-X7SingleDualISOLATED280W不含卤素N-CHANNELStandard600V75A500μA52 ns2.45V @ 15V, 50A151 ns无2.2nF @ 25V30.5mm94mm34mm符合RoHS标准无铅-----------
- IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1-Chassis Mount, Screw底座安装SP112-600V2.1V--Obsolete1 (Unlimited)9-250WUPPERUNSPECIFIED12R-XUFM-X9不对称桥DualISOLATED--N-CHANNELStandard600V65A250μA52 ns2.45V @ 15V, 50A151 ns有2.2nF @ 25V11.5mm51.6mm40.8mm符合RoHS标准-2012150°C-40°C未说明未说明不合格电源控制2.2nFNPT20V2.45 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTGF50DH60T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1 | 对比 |
| FMG2G75US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | 7PM-GA | IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA | 对比 | |
| FMG2G50US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | 7PM-GA | IGBT MODULE 600V 50A 250W 7PMGA | 对比 |



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